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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 141 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS630B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS632 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS634 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS634A | SAMSUNG |
获取价格 |
Advanced Power MOSEFT |
|
| IRFS634B | KERSEMI |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS634B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS635 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS640 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS640 | SAMSUNG |
获取价格 |
Improved inductive ruggedness |
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