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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS624 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS624A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-220AB |
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| IRFS624B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS625 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS630 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS630A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS630B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS632 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS634 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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