IRFS59N10DPBF

更新时间： 2024-11-25 03:03:27

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HEXFET Power MOSFET

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IRFS59N10DPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.16
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IRFS59N10DPBF 数据手册

PD - 95378

IRFB59N10DPbF

IRFS59N10DPbF

SMPS MOSFET

IRFSL59N10DPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

l UPS / Motor Control Inverters

l Lead-Free

V_DSS

100V

R_DS(on)max

I_D

59A

0.025Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

IRFS59N10D

TO-262

IRFSL59N10D

TO-220AB

IRFB59N10D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

236

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.8

Power Dissipation

200

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.3

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Half-bridge and Full-bridge DC-DC Converters

l Full-bridge Inverters

Notes through are on page 11

www.irf.com

06/07/04

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS59N10DPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS59N10DTRLP	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS59N10DTRRP	INFINEON	类似代替	暂无描述
IRF3710ZSPBF	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE MOSFET

与IRFS59N10DPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS59N10DTRLP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS59N10DTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS59N10DTRRP	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFS610A	FAIRCHILD	获取价格	Advenced Power MOSFET (N-CHANNEL)
IRFS610B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFS614A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 2.1A I(D) \| TO-220AB
IRFS614B	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
IRFS614B_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS614BYDTU-FP001	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
IRFS620	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met