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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS522 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFS523 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS52N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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| IRFS52N15DHR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS52N15DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS52N15DTRL | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFS52N15DTRLP | INFINEON |
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MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK |
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| IRFS52N15DTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS52N15DTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IRFS52N15DTRRP | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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