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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 104 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 37 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS521 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
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| IRFS522 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFS523 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS52N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
|
| IRFS52N15DHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS52N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS52N15DTRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFS52N15DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK |
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| IRFS52N15DTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS52N15DTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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