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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS4610TRLPBF
IRFS4610TRLPBF PDF预览

IRFS4610TRLPBF

更新时间： 2024-11-26 12:48:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 455K
描述
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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IRFS4610TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.71Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：73 A最大漏极电流 (ID)：73 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS4610TRLPBF 数据手册

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PD - 96906C  
IRFB4610  
IRFS4610  
IRFSL4610  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
100V  
11m:  
G
14m:  
73A  
max.  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
ID  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
G D S  
G D S  
G D S  
D2Pak  
IRFS4610  
TO-262  
IRFSL4610  
TO-220AB  
IRFB4610  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
73  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
52  
290  
Pulsed Drain Current f  
PD @TC = 25°C  
190  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
1.3  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
7.6  
Peak Diode Recovery e  
Operating Junction and  
dV/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy d  
EAS (Thermally limited)  
370  
mJ  
A
Avalanche Currentꢀc  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,  
Repetitive Avalanche Energy f  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case j  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient, TO-220 j  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak ij  
–––  
40  
www.irf.com  
1
5/22/08  
1234567...11

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IRFS4610TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4615 INFINEON

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 		150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRFS4615PBF INFINEON

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IRFS4620 INFINEON

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IRFS4620PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS4710 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFS4710TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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