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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.07 | 雪崩能效等级（Eas）： | 113 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0775 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 144 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFS4620PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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| IRFS4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFS4710TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS4710TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRFS510 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS520 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
|
| IRFS520A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS520A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS521 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
|
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