IRFS4610PBF

更新时间： 2024-11-26 04:23:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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HEXFET Power MOSFET

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IRFS4610PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.23	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	73 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	290 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS4610PBF 数据手册

PD - 95936B

IRFB4610PbF

IRFS4610PbF

IRFSL4610PbF

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

l Lead-Free

V_DSS

100V

11m

R_DS(on)typ.

14m

73A

max.

I_D

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

D²Pak

IRFS4610PbF

TO-262

IRFSL4610PbF

TO-220AB

IRFB4610PbF

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

290

190

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

± 20

V_GS

Gate-to-Source Voltage

7.6

Peak Diode Recovery

dV/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

370

Avalanche Current

I_AR

See Fig. 14, 15, 16a, 16b,

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.77

–––

Units

R_θ

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

0.50

–––

°C/W

Junction-to-Ambient, TO-220

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak

–––

www.irf.com

01/23/06

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS4610PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS4610TRLPBF	INFINEON	类似代替	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
AUIRFS4610	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE GRADE

与IRFS4610PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS4610TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4610TRLPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS4610TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4610TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4615	INFINEON	获取价格	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRFS4615PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS4620	INFINEON	获取价格	200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRFS4620PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS4620TRLPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS4710	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)

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