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SUM110P06-08L-T1

更新时间： 2024-01-23 13:48:34

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威世 - VISHAY		/
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6页	93K
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Transistor

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SUM110P06-08L-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	272 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM110P06-08L-T1 数据手册

SUM110P06-08L

Vishay Siliconix

P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

Package with Low Thermal Resistance

100 % R_gTested

_D(A)^d

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

Available

0.008 at V_GS= - 10 V

0.0105 at V_GS= - 4.5 V

RoHS*

- 60

- 110

COMPLIANT

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM110P06-08L

SUM110P06-08L-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 60

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current^d

(T_J= 175 °C)

T_C= 25 °C

- 110

- 75

I_D

T_C= 125 °C

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

- 200

- 85

L = 0.1 mH

Single Pulse Avalanche Energy^d

E_AS

211

272^c

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

_A= 25 °C^b

3.75^b

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

PCB Mount^d

R_thJA

°C/W

R_thJC

0.55

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1 %.

b. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

c. See SOA curve for voltage derating.

d. Limited by Package.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 73045

S-80273-Rev. B, 11-Feb-08

www.vishay.com

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