5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUM18N25-165 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET |
|
| SUM18N25-165_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SUM18N25-165-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET |
|
| SUM1960NE | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| SUM1960NE_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| SUM201MN | KODENSHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| SUM202MN | KODENSHI |
获取价格 |
Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor |
|
| SUM20F | SSDI |
获取价格 |
0.5 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 180 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
|
| SUM20F_1 | SSDI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
|
| SUM20FS | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
