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SUM110P08-11L-E3 PDF预览

SUM110P08-11L-E3

更新时间： 2024-11-26 19:47:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
TRANSISTOR 110 A, 80 V, 0.0112 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

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SUM110P08-11L-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：281 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0112 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUM110P08-11L-E3 数据手册

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SUM110P08-11L  
Vishay Siliconix  
P-Channel 80 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
TrenchFET® Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
I
D (A)b  
- 110  
- 109  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
Qg (Typ)  
•
Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
0.0112 at VGS = - 10 V  
0.0145 at VGS = - 4.5 V  
- 80  
85 nC  
TO-263  
S
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
Ordering Information: SUM110P08-11L-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 80  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
- 110a  
- 71  
TC = 25 °C  
C = 125 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
- 23.5b, c  
T
A = 25 °C  
- 13.6b, c  
TA = 125 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 120  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 110  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 9b, c  
- 75  
281  
375  
125  
IAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
T
C = 125 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
13.6b, c  
T
4.5b, c  
TA = 125 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
RthJA  
t 10 s  
8
11  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Steady State  
0.33  
0.4  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 40 °C/W.  
Document Number: 73471  
S12-3071-Rev. C, 24-Dec-12  
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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 		0.5 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 180 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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