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SUM110P06-08L-E3

更新时间： 2024-02-17 17:29:26
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET

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SUM110P06-08L-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.86雪崩能效等级（Eas）：211 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：272 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUM110P06-08L-E3 数据手册

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SUM110P06-08L  
New Product  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Package with Low Thermal Resistance  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)d  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.008 @ V = −10 V  
−110  
−110  
GS  
−60  
0.0105 @ V = −4.5  
V
GS  
D Automotive Such As  
− High-Side Switch  
− Motor Drives  
− 12-V Boardnet  
S
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
D
Ordering Information: SUM110P06-08L  
SUM110P06-08L—E3 (Lead (Pb)-Free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−60  
"20  
−110  
−75  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 125_C  
C
d
Continuous Drain Current  
(T = 175_C)  
J
I
D
T
C
A
Pulsed Drain Current  
I
−200  
−65  
DM  
Avalanche Current  
I
AS  
L = 0.1 mH  
a
Single Pulse Avalanche Energy  
E
AS  
211  
mJ  
c
T
= 25_C  
= 25_C  
272  
C
Power Dissipation  
P
D
W
b
b
T
A
3.75  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
b
Junction-to-Ambient PCB Mount  
R
thJA  
R
thJC  
40  
_
C/W  
Junction-to-Case  
0.55  
Notes:  
a. Duty cycle v 1%.  
b. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. Limited by package.  
Document Number: 73045  
S-41506—Rev. A, 09-Aug-04  
www.vishay.com  
1
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SUM110P06-08L-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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SUM110P08-11L-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 110 A, 80 V, 0.0112 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT
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