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SUM110N06-04L

更新时间： 2024-09-24 22:17:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	44K
描述
N-Channel 60-V (D-S) 200C MOSFET

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SUM110N06-04L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	,	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	437.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUM110N06-04L 数据手册

SUM110N06-04L

New Product

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) 200_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 200_C Junction Temperature

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0035 @ V = 10 V

D New Low Thermal Resistance Package

APPLICATIONS

110

0.005 @ V = 4.5 V

D Automotive

– Boardnet 42-V EPS and ABS

– Motor Drives

D High Current

D DC/DC Converters

TO-263

D S

Top View

SUM110N06-04L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

110

Continuous Drain Current (T = 175_C)

110

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

440

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C

437.5

Maximum Power Dissipation

= 25_C)

3.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 200

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient—PCBMount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

0.4

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71704

S-20417—Rev. B, 08-Apr-02

www.vishay.com

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