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SUM110N08-05-E3

更新时间： 2024-01-04 16:34:21

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威世 - VISHAY		/
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6页	101K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUM110N08-05-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	437.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SUM110N08-05-E3 数据手册

SUM110N08-05

Vishay Siliconix

N-Channel 75-V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFETS

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Available

•

Low Thermal Resistance Package

110^a

0.0048 at V_GS= 10 V

RoHS*

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

High Current

•

DC/DC Converters

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM110N08-05

SUM110N08-05-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

110^a

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)

I_D

110^a

440

T_C= 125 °C

I_DM

I_AR

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy^b

E_AR

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

280

437.5^c

3.7

Maximum Power Dissipation^b

P_D

_A= 25 °C^d

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount^d

R_thJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case (Drain)

0.4

Notes:

a. Package limited.

b. Duty cycle ≤ 1 %.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71705

S-80108-Rev. D, 21-Jan-08

www.vishay.com

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