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SUM110N10-09-E3 PDF预览

SUM110N10-09-E3

更新时间： 2024-11-25 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET

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SUM110N10-09-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：1.13
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：437.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUM110N10-09-E3 数据手册

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SUM110N10-09  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) 200_C MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 200_C Junction Temperature  
D New Package with Low Thermal Resistance  
D 100% Rg Tested  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
a
100  
0.0095 @ V = 10 V  
110  
GS  
APPLICATIONS  
D Automotive  
− 42-V Power Bus  
− DC/DC Conversion  
− Motor Drivers  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUM110N10-09  
SUM110N10-09-E3 (Lead Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
100  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
V
"20  
a
T
= 25_C  
= 125_C  
110  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
a
T
87  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
440  
75  
DM  
I
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
280  
mJ  
c
T
= 25_C  
437.5  
C
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
d
T
A
= 25_C  
3.75  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 200  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
d
Junction-to-Ambient  
PCB Mount (TO-263)  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
Junction-to-Case (Drain)  
R
0.4  
Notes  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 70677  
S-32523—Rev. C, 08-Dec-03  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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