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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 110 A | 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 208.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUM110N08-10 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SUM110N08-10-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUM110N10-09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET |
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| SUM110N10-09-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET |
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| SUM110P04-04L | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) 175-LC MOSFET |
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| SUM110P04-04L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUM110P04-05 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SUM110P04-05_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SUM110P04-05-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SUM110P06-07L | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
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