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IRFS41N15DTRLP PDF预览

IRFS41N15DTRLP

更新时间： 2024-09-10 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 699K
描述
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRFS41N15DTRLP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.34其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：470 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：41 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：164 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS41N15DTRLP 数据手册

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IRFB41N15DPbF  
IRFIB41N15DPbF  
IRFS41N15DPbF  
IRFSL41N15DPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
High frequency DC-DC converters  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
150V  
Benefits  
0.045  
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
41A  
Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See App.  
Note AN1001)  
D
D
Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
Lead-Free  
S
D
S
S
S
D
D
G
G
G
G
TO-262 Pak  
IRFSL41N15DPbF  
TO-220 Full-Pak  
IRFB41N15DPbF  
TO-220AB  
IRFB41N15DPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Form  
Base part number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
IRFB41N15DPbF  
IRFSL41N15DPbF  
IRFIB41N15DPbF  
TO-220  
TO-262  
Tube  
50  
50  
IRFB41N15DPbF  
IRFSL41N15DPbF  
Tube  
TO-220 Full-Pak  
Tube  
Tube  
Tape and Reel Left  
50  
50  
800  
IRFIB41N15DPbF  
IRFS41N15DPbF  
IRFS41N15DTRLPbF  
IRFS41N15DPbF  
D2-Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
41  
A
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
29  
164  
3.1  
200  
48  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation D2-Pak  
Maximum Power Dissipation TO-220  
Maximum Power Dissipation TO-220 Full-Pak  
Linear Derating FactorTO-220  
W
1.3  
W/°C  
Linear Derating FactorTO-220 Full-Pak  
Gate-to-Source Voltage  
0.32  
± 30  
VGS  
V
dv/dt  
TJ  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
2.7  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
300  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
–––  
–––  
–––  
Max.  
Units  
0.75  
3.14  
–––  
62  
RJC  
RJC  
RCS  
RJA  
RJA  
RJA  
Junction-to-Case, TO-220 Full-Pak  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface   
Junction-to-Ambient,TO-220   
Junction-to-Ambient,D2-Pak   
Junction-to-Ambient, TO-220 Full-Pak  
°C/W  
40  
65  
1
2017-04-27  
1234567...13

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IRFS41N15DTRLP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS41N15DPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFS41N15D INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)

与IRFS41N15DTRLP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS41N15DTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRFS41N15DTRRP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFS41N15TRLDPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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