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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS4227TRLPBF
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IRFS4227TRLPBF

更新时间： 2024-09-10 12:48:31
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 363K
描述
Advanced Process Technology

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IRFS4227TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.78
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A最大漏极电流 (ID)：62 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：330 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS4227TRLPBF 数据手册

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PD - 96131A  
IRFS4227PbF  
PDP SWITCH  
IRFSL4227PbF  
Features  
Key Parameters  
l
Advanced Process Technology  
VDS max  
200  
240  
22  
V
V
l
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,  
Energy Recovery and Pass Switch Applications  
Low EPULSE Rating to Reduce Power  
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery  
and Pass Switch Applications  
VDS (Avalanche) typ.  
RDS(ON) typ. @ 10V  
IRP max @ TC= 100°C  
TJ max  
l
m
130  
175  
A
°C  
l
l
Low QG for Fast Response  
High Repetitive Peak Current Capability for  
Reliable Operation  
D
D
D
l
Short Fall & Rise Times for Fast Switching  
l
175°C Operating Junction Temperature for  
Improved Ruggedness  
S
D
S
G
D
G
G
l
Repetitive Avalanche Capability for  
Robustness and Reliability  
D2Pak  
IRFS4227PbF  
TO-262  
IRFSL4227PbF  
S
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain, Energy Recovery & Pass switch  
applications in Plasma Display Panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achievelowon-resistancepersiliconareaandlowEPULSE rating.AdditionalfeaturesofthisMOSFETare  
175°C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features  
combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
±30  
Parameter  
Units  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
62  
44  
A
260  
IRP @ TC = 100°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
130  
Repetitive Peak Current  
330  
Power Dissipation  
W
190  
Power Dissipation  
2.2  
Linear Derating Factor  
W/°C  
TJ  
-40 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
N
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45*  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
JC  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted) D2Pak  
RθJA  
–––  
40  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through †are on page 8  
www.irf.com  
1
12/06/08  
1234567...10

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IRFS4227TRLPBF 替代型号

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