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IRFS4227TRRPBF PDF预览

IRFS4227TRRPBF

更新时间： 2024-09-10 21:14:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 303K
描述
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRFS4227TRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A最大漏极电流 (ID)：62 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：330 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS4227TRRPBF 数据手册

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PD - 97037  
IRFS4227PbF  
PDP SWITCH  
Features  
Key Parameters  
l
Advanced Process Technology  
VDS max  
DS (Avalanche) typ.  
DS(ON) typ. @ 10V  
RP max @ TC= 100°C  
200  
240  
22  
V
V
l
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,  
Energy Recovery and Pass Switch Applications  
Low EPULSE Rating to Reduce Power  
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery  
and Pass Switch Applications  
V
l
m:  
A
R
I
130  
175  
TJ max  
°C  
l
l
Low QG for Fast Response  
High Repetitive Peak Current Capability for  
Reliable Operation  
D
D
l
Short Fall & Rise Times for Fast Switching  
175°C Operating Junction Temperature for  
Improved Ruggedness  
l
S
G
D
l
Repetitive Avalanche Capability for Robustness  
G
and Reliability  
S
D2Pak  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain, Energy Recovery & Pass switch  
applicationsinPlasmaDisplayPanels. ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieve  
low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C  
operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to  
make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
±30  
Parameter  
Gate-to-Source Voltage  
Units  
VGS  
V
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
62  
44  
260  
IRP @ TC = 100°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
130  
Repetitive Peak Current g  
Power Dissipation  
330  
W
190  
Power Dissipation  
2.2  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case f  
Typ.  
Max.  
0.45*  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
–––  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted) fh  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through †are on page 8  
www.irf.com  
1
9/27/05  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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