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IRFS4229

更新时间： 2024-09-10 20:58:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 310K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFS4229 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS4229 数据手册

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PD - 97080B  
IRFS4229PbF  
PDP SWITCH  
Features  
Key Parameters  
l
Advanced Process Technology  
VDS min  
250  
300  
42  
V
V
m
l
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,  
Energy Recovery and Pass Switch Applications  
Low EPULSE Rating to Reduce Power  
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery  
and Pass Switch Applications  
VDS (Avalanche) typ.  
RDS(ON) typ. @ 10V  
IRP max @ TC= 100°C  
TJ max  
l
91  
A
175  
°C  
l
l
Low QG for Fast Response  
High Repetitive Peak Current Capability for  
Reliable Operation  
D
D
l
Short Fall & Rise Times for Fast Switching  
l175°C Operating Junction Temperature for  
Improved Ruggedness  
Repetitive Avalanche Capability for Robustness  
S
G
D
l
G
and Reliability  
S
D2Pak  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain; Energy Recovery & Pass switch  
applicationsinPlasmaDisplayPanels. ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieve  
low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175°C  
operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to  
make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VGS  
±30  
Gate-to-Source Voltage  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
45  
A
32  
180  
IRP @ TC = 100°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
91  
Repetitive Peak Current  
330  
Power Dissipation  
W
190  
Power Dissipation  
2.2  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300  
10lb in (1.1N m)  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.45*  
62  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
–––  
–––  
JC  
Junction-to-Ambient  
JA  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through ꢀare on page 9  
www.irf.com  
1
09/16/08  
1234567...9

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