5秒后页面跳转
IRFS433 PDF预览

IRFS433

更新时间: 2024-09-15 10:15:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN

IRFS433 数据手册

  

与IRFS433相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS440 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SOT-186VAR
IRFS440A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Powre MOSFET
IRFS440B FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
IRFS441 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SOT-186VAR
IRFS4410 INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFS4410PBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFS4410TRL INFINEON

获取价格

暂无描述
IRFS4410TRLPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS4410TRR INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS4410TRRPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met