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IRFS4310TRLPBF

更新时间： 2024-09-14 12:49:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 382K
描述
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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IRFS4310TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.61Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：980 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：550 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS4310TRLPBF 数据手册

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PD - 14275D  
IRFB4310PbF  
IRFS4310PbF  
IRFSL4310PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
D
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
100V  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
5.6m  
7.0m  
130A  
G
ID  
S
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRFS4310PbF  
TO-262  
IRFSL4310PbF  
TO-220AB  
IRFB4310PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
130  
Units  
A
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
92  
550  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
300  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.0  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
14  
Peak Diode Recovery  
dV/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
980  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
–––  
40  
www.irf.com  
1
01/31/06  
1234567...12

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IRFS4310TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS4310TRRPBF INFINEON

类似代替

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AUIRFS4310 INFINEON

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IRFS4310Z INFINEON

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IRFS4310ZPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS4310ZTRLPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFS4310ZTRRPBF INFINEON

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