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IRFS440A

更新时间： 2024-09-13 23:16:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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7页 224K
描述
Advanced Powre MOSFET

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IRFS440A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.34雪崩能效等级（Eas）：641 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.85 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：85 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS440A 数据手册

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IRFS440A  
FEATURES  
BVDSS = 500 V  
RDS(on) = 0.85Ω  
ID = 6.2 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-3PF  
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 500V  
µ
Lower RDS(ON): 0.638 (Typ.)  
Ω
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
500  
6.2  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
3.9  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
A
V
34  
Gate-to-Source Voltage  
30  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
641  
6.2  
8.5  
3.5  
85  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
mJ  
V/ns  
W
PD  
TJ , TSTG  
TL  
0.68  
W/°C  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
°C  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
1.46  
40  
°C/W  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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