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IRFS443

更新时间: 2024-10-31 06:34:55
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三星 - SAMSUNG /
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1页 26K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN

IRFS443 数据手册

  

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