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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS4510 | INFINEON |
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100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封 |
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| IRFS4510PbF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET |
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| IRFS4510TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS4510TRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS452 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS453 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS460 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFS4610 | INFINEON |
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IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 |
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| IRFS4610PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS4610TRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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