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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS443 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS450 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| IRFS450A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET (500V, 0.4ohm, 9.6A) |
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| IRFS450B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| IRFS450B | ONSEMI |
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分立式 MOSFET |
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| IRFS451 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS4510 | INFINEON |
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100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封 |
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| IRFS4510PbF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET |
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| IRFS4510TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS4510TRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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