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IRFS4410TRLPBF PDF预览

IRFS4410TRLPBF

更新时间： 2024-09-14 20:52:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 803K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFS4410TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.62雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：380 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS4410TRLPBF 数据手册

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PD - 95707E  
IRFB4410PbF  
IRFS4410PbF  
IRFSL4410PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
100V  
8.0m  
10m  
88A  
G
ID  
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRFS4410PbF  
TO-262  
IRFSL4410PbF  
TO-220AB  
IRFB4410PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
88  
A
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
63  
380  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
200  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
19  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
220  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.61  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
–––  
40  
www.irf.com  
1
05/02/07  
1234567...12

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IRFS4410TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS4410PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRFS4410 INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
PSMN009-100B,118 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS4410TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS4410TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS4410Z INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4410Z UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRFS4410ZPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS4410ZTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4410ZTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4410ZTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS442 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS443 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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