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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 170 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS42N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFS42N20DTRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFS42N20DTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 42.6A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRFS430 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS4310 | FREESCALE |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS4310 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS4310HR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS4310PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFS4310PBF_15 | INFINEON |
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High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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| IRFS4310RPBF | INFINEON |
获取价格 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
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