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IRFS430

更新时间: 2024-09-11 09:21:15
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三星 - SAMSUNG /
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1页 26K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN

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