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IRFS41N15DTRRPBF

更新时间： 2024-09-10 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 338K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRFS41N15DTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：41 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

IRFS41N15DTRRPBF 数据手册

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PD - 94927  
IRFB41N15DPbF  
IRFIB41N15DPbF  
IRFS41N15D  
IRFSL41N15D  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l HighfrequencyDC-DCconverters  
l Lead-Free(onlytheTO-220ABandTO-220  
FullPak version is currently available in a  
lead-free configuration)  
VDSS RDS(on) max  
ID  
0.045  
150V  
41A  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
TO-220AB  
IRFB41N15D  
D2Pak  
TO-262  
TO-220 FullPak  
IRFIB41N15D  
IRFS41N15D IRFSL41N15D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
41  
Units  
A
I
I
I
@ T = 25°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ T = 100°C  
C
29  
164  
3.1  
200  
48  
DM  
Power Dissipation, D2Pak  
P
P
P
@T = 25°C  
A
W
D
D
D
@T = 25°C  
C
Power Dissipation, TO-220  
Power Dissipation, Fullpak  
Linear Derating Factor, TO-220  
Linear Derating Factor, Fullpak  
Gate-to-Source Voltage  
@T = 25°C  
C
1.3  
W/°C  
0.32  
± 30  
V
V
GS  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
dv/dt  
T
J
2.7  
V/ns  
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
1.1(10)  
N•m (lbf•in)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
–––  
–––  
–––  
Max.  
0.75  
3.14  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
JC  
cs  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case, Fullpak  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient, D2Pak  
JA  
JA  
JA  
40  
65  
Junction-to-Ambient, Fullpak  
Notes  through ‡ are on page 12  
www.irf.com  
1
1/5/04  
1234567...12

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与IRFS41N15DTRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS41N15TRLDPBF INFINEON

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IRFS41N15TRRDPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4227 ISC

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