IRFS41N15D

更新时间： 2024-09-09 22:15:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)

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IRFS41N15D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.11	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	470 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	41 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	164 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS41N15D 数据手册

PD- 93804A

IRFB41N15D

IRFS41N15D

SMPS MOSFET

IRFSL41N15D

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

150V

R_DS(on)max

I_D

41A

0.045Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRFB41N15D

IRFS41N15D

IRFSL41N15D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

164

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.1

Power Dissipation

200

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

2.7

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V input DC-DC Active Clamp Reset Forward Converter

Notes through ꢀ are on page 11

www.irf.com

2/14/00

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS41N15D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS41N15DTRLP	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRFS41N15D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS41N15DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS41N15DTRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 41A I(D) \| TO-263AB
IRFS41N15DTRLP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 41A I(D) \| TO-263AB
IRFS41N15DTRRP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFS41N15TRLDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15TRRDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4227	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor

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