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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS41N15DPBF
IRFS41N15DPBF PDF预览

IRFS41N15DPBF

更新时间： 2024-09-10 03:00:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 338K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFS41N15DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.48
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：41 A
最大漏极电流 (ID)：41 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：164 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS41N15DPBF 数据手册

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PD - 94927A  
IRFB41N15DPbF  
IRFIB41N15DPbF  
IRFS41N15DPbF  
IRFSL41N15DPbF  
Applications  
l HighfrequencyDC-DCconverters  
l Lead-Free  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS RDS(on) max  
ID  
Benefits  
0.045  
150V  
41A  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
TO-220AB  
IRFB41N15D  
D2Pak  
TO-262  
TO-220 FullPak  
IRFIB41N15D  
IRFS41N15D IRFSL41N15D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
41  
Units  
A
I
I
I
@ T = 25°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
@ T = 100°C  
C
29  
164  
3.1  
200  
48  
DM  
Power Dissipation, D2Pak  
P
P
P
@T = 25°C  
A
W
D
D
D
@T = 25°C  
C
Power Dissipation, TO-220  
Power Dissipation, Fullpak  
Linear Derating Factor, TO-220  
Linear Derating Factor, Fullpak  
Gate-to-Source Voltage  
@T = 25°C  
C
1.3  
W/°C  
0.32  
± 30  
V
V
GS  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
dv/dt  
T
J
2.7  
V/ns  
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
1.1(10)  
N•m (lbf•in)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
–––  
–––  
–––  
Max.  
0.75  
3.14  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
JC  
cs  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case, Fullpak  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient, D2Pak  
JA  
JA  
JA  
40  
65  
Junction-to-Ambient, Fullpak  
Notes  through ‡ are on page 12  
www.irf.com  
1
08/10/06  
1234567...13

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IRFS41N15DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS41N15DTRLP INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3415STRLPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS41N15DTRL ETC

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IRFS41N15DTRLP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS41N15DTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IRFS4227 ISC

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 		N-Channel MOSFET Transistor
IRFS4227 INFINEON

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 		200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET PDP 开关, 采用 D

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