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IRFPG50-205PBF PDF预览

IRFPG50-205PBF

更新时间： 2024-11-28 21:15:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1019K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

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IRFPG50-205PBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：800 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：6.1 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFPG50-205PBF 数据手册

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IRFPG50, SiHFPG50  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
1000  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
2.0  
RoHS*  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
190  
23  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
110  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFPG50PbF  
SiHFPG50-E3  
IRFPG50  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFPG50  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
1000  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
6.1  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
3.9  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
24  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
800  
6.0  
EAR  
19  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
190  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
1.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 40 mH, RG = 25 Ω, IAS = 6.1 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 6.1 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, VDD ≤ 600, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91254  
S-81368-Rev. A, 21-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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