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IRFH8324TRPBF

更新时间： 2024-11-05 12:48:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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HEXFETPower MOSFET

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IRFH8324TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.01	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.0041 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	54 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFH8324TRPBF 数据手册

PD - 97651C

IRFH8324PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_{gs max}

± 20

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

4.1

(@V_GS= 4.5V)

6.3

Q_{g typ.}

PQFN 5X6 mm

I_D

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Synchronous MOSFET for high frequency buck converters

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (< 2.3°C/W)

Low Profile (<1.2mm)

Enable better thermal dissipation

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

⇒

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Form

Tape and Reel

Note

Quantity

4000

IRFH8324TRPBF

IRFH8324TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

200

3.6

Power Dissipation

@T_A= 25°C

Power Dissipation

@T_C(Bottom)= 25°C

0.029

-55 to + 150

Linear Derating Factor

Operating Junction and

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Notes through are on page 9

www.irf.com

03/30/12

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFH8324TR2PBF	INFINEON	功能相似	HEXFETPower MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFH8325	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFH8325PBF	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFH8325PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8325TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFH8330PBF	INFINEON	获取价格	Control MOSFET for high frequency buck converters
IRFH8330PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFH8330TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFH8334	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil
IRFH8334PBF	INFINEON	获取价格	Control MOSFET for high frequency buck converters
IRFH8334PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques

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