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IRFH8334TR2PBF

更新时间： 2024-11-25 01:01:15
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描述
Control MOSFET for high frequency buck converters

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IRFH8334TR2PBF 数据手册

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IRFH8334PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
30  
V
V
VGS max  
± 20  
RDS(on) max  
(@VGS = 10V)  
9.0  
m
Ω
(@VGS = 4.5V)  
13.5  
7.1  
Qg typ.  
nC  
A
PQFN 5X6 mm  
ID  
25  
(@Tc(Bottom) = 25°C)  
Applications  
• Control MOSFET for high frequency buck converters  
FeaturesandBenefits  
Features  
Benefits  
Low Thermal Resistance to PCB (< 4.1°C/W)  
Low Profile (<1.2mm)  
Enable better thermal dissipation  
results in Increased Power Density  
Industry-Standard Pinout  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Consumer Qualification  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Orderable part number Package Type  
Standard Pack  
Note  
Form  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Quantity  
4000  
IRFH8334TRPBF  
IRFH8334TR2PBF  
PQFN 5mm x 6mm  
PQFN 5mm x 6mm  
400  
EOL notice #259  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
V
± 20  
14  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
I
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
D
D
@ TA = 70°C  
12  
44  
@ TC(Bottom) = 25°C  
@ TC(Bottom) = 100°C  
A
28  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding  
Technology Limited)  
Pulsed Drain Current  
25  
I
I
@ TC = 25°C  
D
100  
3.2  
30  
DM  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
D
D
W
@TC(Bottom) = 25°C  
0.026  
-55 to + 150  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/°C  
°C  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Notes  through ‡ are on page 9  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
January 13, 2014  
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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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