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IRFHE4250D

更新时间： 2024-11-24 12:56:43

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IRFHE4250D 数据手册

IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN 顶部外露电源模块器件

为 DC-DC 应用提供卓越效率

2014 年 8 月 13 日

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 推出 IRFHE4250D FastIRFET 双功

率 MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。新款 25V 器件在 25A 的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少 5%以上

的功率损耗，适用于 12V 输入 DC-DC 同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本

(Ultrabook) 和笔记本电脑等。

IRFHE4250D 配备 IR 新一代硅技术，并采用了适合背面贴装的 6×6 PQFN 顶部外露纤薄封装，为电源模块带来更多封装选择。

这款封装结合了出色的散热性能、低导通电阻 (Rds(on)) 与栅极电荷 (Qg)，提供卓越的功率密度和较低的开关损耗，从而缩

减电路板尺寸，提升整体系统效率。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“高达 60A 额定值的 IRFHE4250D FastIRFET MOSFET 是全球首款顶部外露电源模块器件，

提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性能 DC-DC 应用。”

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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