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IRFHM8228TRPBF

更新时间： 2024-11-18 21:20:59

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	606K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN-8

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IRFHM8228TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	7.9	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-F5
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	34 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHM8228TRPBF 数据手册

IRFHM8228PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

V_GSmax

±20

R_DS(on)max

(@ V_GS= 10V)

5.2

m

(@ V_GS= 4.5V)

8.7

Qg _(typical)

9.0

I_D

25

(@T_{C (Bottom)}= 25°C)

PQFN 3.3X3.3 mm

Applications

Control or synchronous MOSFET for synchronous buck converter

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (<3.7°C/W)

Low Profile (<1.05 mm)

Enable better thermal dissipation

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Industry-Standard Pinout

results in

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Consumer Qualification



Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Standard Pack

Base part number

Package Type

Orderable Part Number

Form

Quantity

4000

IRFHM8228PbF

PQFN 3.3 mm x 3.3 mm

Tape and Reel

IRFHM8228TRPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Gate-to-Source Voltage

Max.

± 20

Units

V_GS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

65

41

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

(Source Bonding Technology Limited)

25

I_DM

Pulsed Drain Current 

Power Dissipation 

260

2.8

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C(Bottom)= 25°C

Power Dissipation 

Linear Derating Factor 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

0.023

W/°C

T_J

-55 to + 150

°C

T_STG

Notes  through  are on page 10

2016-2-23

12 3 4 5 6 7...11

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