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IRFHM831TR2PBF

更新时间： 2024-09-08 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 461K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN-8

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IRFHM831TR2PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0126 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHM831TR2PBF 数据手册

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IRFHM831PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
30  
V
RDS(on) max  
(@ VGS = 10V)  
7.8  
m  
Qg (typical)  
Rg (typical)  
7.3  
0.5  
nC  
ID  
40  
A
(@TC (Bottom) = 25°C)  
PQFN 3.3 x 3.3 mm  
Applications  
 Control MOSFET for Buck Converters  
Features  
Benefits  
Low Charge (typical 7.3nC)  
Lower Switching Losses  
Enable better thermal dissipation  
Increased Reliability  
Low Thermal Resistance to PCB (<4.7°C/W)  
100% Rg tested  
Low Profile (< 1.0 mm)  
Increased Power Density  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
results in  
Industry-Standard Pinout  
  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Industrial Qualification  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Standard Pack  
Orderable part number  
Package Type  
Note  
Form  
Quantity  
4000  
IRFHM831TRPbF  
IRFHM831TR2PBF  
PQFN 3.3mm x 3.3mm  
PQFN 3.3mm x 3.3mm  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
400  
EOL notice # 259  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
V
VGS  
± 20  
14  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
11  
40  
28  
A
ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
IDM  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation   
96  
PD @TA = 25°C  
PD @TC(Bottom) = 25°C  
2.5  
27  
W
Power Dissipation   
Linear Derating Factor   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
0.02  
W/°C  
TJ  
-55 to + 150  
°C  
TSTG  
Notes through are on page 9  
1
2016-2-26  
1234567...10

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IRFHM831TR2PBF 替代型号

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