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IRFHM831TRPBF

更新时间： 2024-11-18 12:36:47

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英飞凌 - INFINEON		转换器
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8页	262K
描述
Control MOSFET for Buck Converters

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IRFHM831TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.0126 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	27 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHM831TRPBF 数据手册

PD -97539A

IRFHM831PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

7.8

Q_{g (typical)}

R_{G (typical)}

7.3

0.5

I_D

PQFN 3.3mm x 3.3mm

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Control MOSFET for Buck Converters

Features and Benefits

Features

Benefits

Low Charge (typical 7.3nC)

Low Thermal Resistance to PCB (<4.7°C/W)

100% Rg tested

Lower Switching Losses

Enable Better Thermal Dissipation

Increased Reliability

Low Profile (<1.0mm)

results in Increased Power Density

Industry-Standard Pinout

⇒

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFHM831TRPBF

IRFHM831TR2PBF

PQFN 3.3mm x 3.3mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

V_GS

±20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C(Bottom)= 25°C

I_D@ T_C(Bottom)= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

2.5

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@ T_C(Bottom)= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

T_J

T_STG

Storage Temperature Range

Notes through are on page 8

www.irf.com

9/8/10

12 3 4 5 6 7 8

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IRFHM831TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFHM831TR2PBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFHM831TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFHM8326	INFINEON	获取价格	30V Single N-Channel Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
IRFHM8326PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8326PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8326TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFHM8329PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8329PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8329TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFHM8330PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8330PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM8330TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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