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IRFHM8326TRPBF

更新时间： 2024-09-08 15:43:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 584K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN-8

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IRFHM8326TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.12雪崩能效等级（Eas）：58 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0067 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：278 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHM8326TRPBF 数据手册

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IRFHM8326PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
30  
V
V
VGS max  
±20  
RDS(on) max  
(@ VGS = 10V)  
4.7  
G
m  
S
S
S
(@ VGS = 4.5V)  
6.7  
D
Qg (typical)  
20  
nC  
A
D
D
D
D
ID  
70  
(@TC (Bottom) = 25°C)  
Applications  
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application  
System/Load Switch  
Synchronous MOSFET for Buck Converters  
Features  
Benefits  
Low Thermal Resistance to PCB (<3.4°C/W)  
Low Profile (<1.05 mm)  
Enable better thermal dissipation  
Increased Power Density  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Industry-Standard Pinout  
results in  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Consumer Qualification  
  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Standard Pack  
Base part number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Quantity  
4000  
IRFHM8326PbF  
PQFN 3.3 mm x 3.3 mm  
Tape and Reel  
IRFHM8326TRPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Gate-to-Source Voltage  
Max.  
± 20  
19  
Units  
VGS  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
15  
70  
44  
25  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding  
Technology Limited)  
IDM  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation   
278  
2.8  
PD @TA = 25°C  
PD @TC(Bottom) = 25°C  
W
Power Dissipation   
37  
Linear Derating Factor   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
0.023  
W/°C  
TJ  
-55 to + 150  
°C  
TSTG  
Notes through are on page 9  
1
2016-2-23  
1234567...10

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IRFHM8326TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17577Q3AT TI

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