Datasheet > IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

更新时间： 2024-09-08 12:08:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		转换器
页数	文件大小	规格书
9页	304K
描述
Power Stage for high frequency buck converters

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFHM8363TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	3.30 X 3.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	7.35	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	29 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.0149 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	19 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	116 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHM8363TRPBF 数据手册

IRFHM8363PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_{gs max}

± 20

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

14.9

Ω

(@V_GS= 4.5V)

20.4

6.7

Q_{g typ}

PQFN Dual 3.3X3.3 mm

I_D

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Power Stage for high frequency buck converters

• Battery Protection charge and discharge switches

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (< 6.7°C/W)

Low Profile (<1.0mm)

Enable better thermal dissipation

results in Increased Power Density

⇒

Industry-Standard Pinout

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TR2PBF

PQFN Dual 3.3mm x 3.3mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

8.6

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

116

2.7

@T_A= 25°C

Power Dissipation

@T_C(Bottom)= 25°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

W/°C

°C

-55 to + 150

Storage Temperature Range

STG

Notes through are on page 9

May 13, 2013

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IRFHM8363TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFHM9331	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFHM93312PBF	INFINEON	获取价格	System/load switch
IRFHM9331PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM9331PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM9331TR2PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFHM9331TRPBF	INFINEON	获取价格	Low Thermal Resistance to PCB (<6.0Â°C/W)
IRFHM9391PBF	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM9391PBF_15	INFINEON	获取价格	Compatible with Existing Surface Mount Techniques
IRFHM9391TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFHP8321PBF	INFINEON	获取价格	101 North Sepulveda Boulevard, El Segundo, California, 90245, USA Telephone 1 310 726 8000

与IRFHM8363TRPBF相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

56
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

48
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

81
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

92

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF 技术参数

IRFHM8363TRPBF 数据手册

与IRFHM8363TRPBF相关器件

与IRFHM8363TRPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF 技术参数

IRFHM8363TRPBF 数据手册

与IRFHM8363TRPBF相关器件

与IRFHM8363TRPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？