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IRFHS9301TRPBF

更新时间： 2024-02-08 18:25:24

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRFHS9301TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLAINT, PLASTIC, QFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.71	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.037 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHS9301TRPBF 数据手册

PD - 97581A

IRFHS9301PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

TOP VIEW

-30

V_{GS max}

±20

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -10V)

mΩ

Q_{g (typical)}

I_D

G 3

-8.5

2mm x 2mm PQFN

(@T_C= 25°C)

Applications

l Charge and Discharge Switch for Battery Application

l System/load switch

Features and Benefits

Features

Low R_DSon(≤ 37mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (≤ 13°C/W)

Low Profile (≤ 1.0 mm)

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Benefits

Lower Conduction Losses

Enable better thermal dissipation

results inIncreased Power Density

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Note

Form

Tape and Reel

Quantity

4000

IRFHS9301TRPBF

IRFHS9301TR2PBF

PQFN 2mm x 2mm

400

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Max.

-30

Units

V_DS

V_GS

± 20

-6.0

-4.8

-13

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 70°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

-10

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

-8.5

-52

2.1

1.3

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@ T_A= 70°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

T_J

T_STG

Storage Temperature Range

Notes through ꢀ are on page 2

www.irf.com

11/12/10

12 3 4 5 6 7 8

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与IRFHS9301TRPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFHS9351	INFINEON	Small PowIR MOSFETs	获取价格
IRFHS9351PBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFHS9351TR2PBF	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
IRFHS9351TRPBF	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
IRFI064	INFINEON	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)	获取价格
IRFI064D	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-259VAR	获取价格

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