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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 43 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFI1010G-002 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-002PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-004 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-004PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-005PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-006 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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