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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 43 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFI1010G-006PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-009 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-009PBF | INFINEON | 43A, 55V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRFI1010G-010 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-010PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFI1010G-011 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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