5秒后页面跳转
IRFHS9301TRPBF PDF预览

IRFHS9301TRPBF

更新时间: 2024-01-05 23:21:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 322K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFHS9301TRPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLAINT, PLASTIC, QFN-6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.71外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-N6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):52 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFHS9301TRPBF 数据手册

 浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFHS9301TRPBF的Datasheet PDF文件第8页 
IRFHS9301TR/TR2PbF  
PQFN Package Details  
PQFN Part Marking  
9301  
Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/  
www.irf.com  
7

与IRFHS9301TRPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRFHS9351 INFINEON Small PowIR MOSFETs

获取价格

IRFHS9351PBF INFINEON HEXFET Power MOSFET

获取价格

IRFHS9351TR2PBF INFINEON Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格

IRFHS9351TRPBF INFINEON Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal

获取价格

IRFI064 INFINEON TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)

获取价格

IRFI064D ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-259VAR

获取价格