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IRFHS9301TRPBF

更新时间: 2024-10-28 11:09:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页 322K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFHS9301TRPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLAINT, PLASTIC, QFN-6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.71外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-N6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):52 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFHS9301TRPBF 数据手册

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IRFHS9301TR/TR2PbF  
Id  
Vds  
Vgs  
L
VCC  
DUT  
0
Vgs(th)  
20K  
Qgs1  
Qgs2  
Qgodr  
Qgd  
Fig 16a. Gate Charge Test Circuit  
Fig 16b. Gate Charge Waveform  
RD  
VDS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
VGS  
V
GS  
D.U.T.  
10%  
RG  
-
VDD  
+
-VGS  
90%  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
V
DS  
Fig 17a. Switching Time Test Circuit  
Fig 17b. Switching Time Waveforms  
6
www.irf.com  

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