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IRFHS9301TRPBF

更新时间： 2024-01-30 13:11:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRFHS9301TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLAINT, PLASTIC, QFN-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.71	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.037 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHS9301TRPBF 数据手册

IRFHS9301TR/TR2PbF

100

= -7.8A

Vgs = -4.5V

= 125°C

Vgs = -10V

= 25°C

-I , Drain Current (A)

-V

GS,

Gate -to -Source Voltage (V)

Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current

Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage

600

500

400

300

200

100

1E-5

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

Time (sec)

Fig 14. Typical Power vs. Time

Driver Gate Drive

P.W.

Period

D =

D.U.T *

=10V

Circuit Layout Considerations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T. I Waveform

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

Diode Recovery

dv/dt

V_DD

• di/dt controlled by R_G

Re-Applied

Voltage

R_G

• Driver same type as D.U.T.

Body Diode

Inductor Current

Forward Drop

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

Inductor Curent

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

* Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel

Fig 15. Diode Reverse Recovery Test Circuit for P-Channel HEXFET^®Power MOSFETs

www.irf.com

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