5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167061 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | MicroFET(2x2) | Samacsys Released Date： | 2018-06-22 15:49:41 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFHS9301TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMA530PZ_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDMA6023PZT | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench? MOSFET -20 V, -3. |
|
| FDMA6023PZT | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.6A，60mΩ |
|
| FDMA6676PZ | ONSEMI |
获取价格 |
单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，13.5mΩ |
|
| FDMA7628 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench |
|
| FDMA7628 | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道 1.5V 指定 PowerTrench® MOSFET 20V，9.4A，1 |
|
| FDMA7630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 1 |
|
| FDMA7630 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，11A，13mΩ |
|
| FDMA7632 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9 |
|
| FDMA7632 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，9A，19mΩ |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
