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FDMA8051L PDF预览

FDMA8051L

更新时间： 2024-10-28 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 352K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ANTIMONY AND HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6

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FDMA8051L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：25 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMA8051L 数据手册

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January 2014  
FDMA8051L  
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET  
40 V, 10 A, 14 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 14 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10 A  
This device has been designed to provide maximum efficiency  
and thermal performance for synchronous buck converters. The  
low rDS(on) and gate charge provide excellent switching  
performance.  
„ Max rDS(on) = 18 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A  
„ Low Profile - 0.8 mm maximum in the new package MicroFET  
2x2 mm  
Application  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ RoHS Compliant  
„ DC – DC Buck Converters  
Pin 1  
G
D
D
Bottom Drain Contact  
D
D
S
D
D
Drain  
Source  
G
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
40  
±20  
V
V
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
10  
ID  
A
80  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.4  
PD  
W
Power Dissipation  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
52  
°C/W  
145  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ”  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
051  
FDMA8051L  
MicroFET 2X2  
3000 units  
1
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMA8051L Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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