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FDMA86265P PDF预览

FDMA86265P

更新时间： 2024-10-29 11:15:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-1A，1.2Ω

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FDMA86265P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.94
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Gold/Palladium/Silver (Ni/Au/Pd/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMA86265P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
−150 V  
1.2 mW @ −10 V  
1.4 mW @ −6 V  
−1 A  
-150 V, -1 A, 1.2 W  
FDMA86265P  
Pin 1  
Drain  
D
D
G
Source  
General Description  
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been optimized for the on−state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
Features  
D
D
S
• Max r  
• Max r  
= 1.2 mW at V = −10 V, I = −1 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
Bottom View  
= 1.4 mW at V = −6 V, I = −0.9 A  
GS  
D
WDFN6 2x2, 0.65P  
(MicroFET 2x2)  
CASE 511CZ  
• Low Profile − 0.8 mm Maximum in the New Package MicroFETt  
2x2 mm  
• Very Low RDS−on Mid Voltage P−channel Silicon Technology  
Optimised for Low Qg  
MARKING DIAGRAM  
• This Product is Optimised for Fast Switching Applications as Well as  
Load Switch Applications  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
&Z&2&K  
265  
Applications  
&Z = Assembly Plant Code  
&2 = 2−Digit Date Code  
&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code  
265 = Specific Device Code  
• Active Clamp Switch  
• Load Switch  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Ratings  
−150  
25  
Unit  
V
PIN ASSIGNMENT  
V
V
DS  
V
Bottom Drain Contact  
GS  
I
D
A
D
D
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
−1  
−2  
A
− Pulsed  
D
G
D
S
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation  
6
mJ  
W
AS  
P
D
T = 25°C (Note 1a)  
2.4  
0.9  
A
T = 25°C (Note 1b)  
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
52  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
145  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 3  
FDMA86265P/D  
1234567

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与FDMA86265P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMA86551L FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDMA86551L ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7.5A，23mΩ
FDMA8878 FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V,
FDMA8878 ONSEMI

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 		单 N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，9.0A，16mΩ
FDMA8878-F130 ONSEMI

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 		单 N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，9.0A，16mΩ
FDMA8884 ONSEMI

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 		30V单N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMA8884 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V,
FDMA905P ONSEMI

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 		-12V单P沟道PowerTrench® MOSFET
FDMA905P FAIRCHILD

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 		New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications
FDMA908PZ ONSEMI

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 		单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-12V，-12A，12.5mΩ

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